报告题目：铸造单晶硅的缺陷研究
报告人:杨德仁,浙江大学3200威尼斯vip教授，中国科学院院士。
讲座时间：2018年11月29日下午14:30
地点：3200威尼斯vip新楼308会议室
报告内容：太阳能光伏是重要的可再生能源，是国际上竞争激烈的高科技产业。在过去的10多年中，国际上太阳能光伏产业发展迅速，逐步壮大；而我国的太阳能光伏产业得到了国家的重视，快速发展，成为我国高科技产业的“亮点”。而硅晶体材料是太阳能光伏的主要基础材料，2017年约占国际市场的96%以上，对太阳能光伏产业的快速发展起到决定性的作用。常用的硅晶体生长技术包括直拉硅单晶和铸造多晶硅，各有技术、成本和市场的优缺点，其市场竞争非常激烈。而利用铸造技术制备单晶硅的铸造单晶硅技术引起了学术界、产业界的广泛重视，报告将介绍铸造单晶硅的研究历史、生长机理、研究进展，重点讨论目前遇到的单晶率、籽晶成本、材料利用率和位错缺陷等瓶颈问题，并探讨了其可能的解决方案。
报告人情况简介：浙江大学3200威尼斯vip教授，中国科学院院士。现任硅材料国家重点实验室主任，半导体材料研究所所长，国家自然科学基金委创新研究群体、科技部重点领域创新团队。兼任国家重大科技专项（02）总体专家组成员，中国可再生能源学会常务理事，光伏专业委员会副主任等。长期从事半导体硅材料的研究，涉及超大规模集成电路用硅材料，太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料和纳米半导体材料。负责国家973、863、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点、科技部、教育部和浙江省的重大、重点科技项目等。在半导体硅材料的晶体生长、缺陷工程和纳米结构的基础研究上取得重大成果，研究成果不仅产生一定的国际影响，而且在生产实际中产生重大经济效益。
